Supu, Amiruddin and DM, Dilla and Malago, Jasruddin Daud and Arsyad, Fitri Suryani (2001) Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta. Indonesian Journal of Physics, 13 (3). ISSN 0854-6878
Preview |
Text
190-719-1-PB.pdf Download (101kB) | Preview |
Abstract
Sel surya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan lapisan-p yang di doping-delta (d-doped) telah difabrikasi dengan reaktor ganda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Gas silan (SiH4), diboran (B2H6) dan posfin (PH3) masing-masing 10% dalam hidrogen (H2oC menurun dari 8,59 % sampai 6,69 % dengan meningkatnya lama penyinaran dari 0 sampai 2,5 Jam. Efisiensi stabil yang dicapai adalah 7,11 %, yang berarti bahwa terjadi penurunan efisiensi sebesar 17,23 %. Jadi dengan melalui proses annealing terjadi pengurangan penurunan efisiensi.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics > QC1-999 Physics |
| Divisions: | 08-Faculty of Mathematics and Natural Science > 45201-Physics (S1) |
| Depositing User: | backup admin |
| Date Deposited: | 13 Jan 2020 04:49 |
| Last Modified: | 17 Jan 2020 03:26 |
| URI: | http://repository.unsri.ac.id/id/eprint/22633 |
Actions (login required)
 |
View Item |