Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta

Supu, Amiruddin and DM, Dilla and Malago, Jasruddin Daud and Arsyad, Fitri Suryani (2001) Pengaruh Annealing Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-Si:H Doping Delta. Indonesian Journal of Physics, 13 (3). ISSN 0854-6878

[img]
Preview
Text
190-719-1-PB.pdf

Download (101kB) | Preview
Official URL: http://ijp.papsi.org/index.php/ijp/index

Abstract

Sel surya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan lapisan-p yang di doping-delta (d-doped) telah difabrikasi dengan reaktor ganda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Gas silan (SiH4), diboran (B2H6) dan posfin (PH3) masing-masing 10% dalam hidrogen (H2oC menurun dari 8,59 % sampai 6,69 % dengan meningkatnya lama penyinaran dari 0 sampai 2,5 Jam. Efisiensi stabil yang dicapai adalah 7,11 %, yang berarti bahwa terjadi penurunan efisiensi sebesar 17,23 %. Jadi dengan melalui proses annealing terjadi pengurangan penurunan efisiensi.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics > QC1-999 Physics
Divisions: 08-Faculty of Mathematics and Natural Science > 45201-Physics (S1)
Depositing User: backup admin
Date Deposited: 13 Jan 2020 04:49
Last Modified: 17 Jan 2020 03:26
URI: http://repository.unsri.ac.id/id/eprint/22633

Actions (login required)

View Item View Item